灯珠类型：SMD 贴片紫色光
灯珠尺寸：7.0m x 7.0mm
额定功率：3-10 W
工作电压：2.8-7.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：500-1400mA
辐射功率：300-5760（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：石英陶瓷
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为38*38mil，40*40mil，45*45.50*50mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
2835 UV紫光系列
灯珠类型：SMD 贴片紫色光
灯珠类型：SMD 贴片紫色光
灯珠尺寸：3.5mm x 3.5mm
额定功率：0.2W -1 W
工作电压：2.8-7.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：100-700mA
辐射功率：2-500（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：石英
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil，30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：SMD 贴片紫色光
灯珠尺寸：3.5mm x 3.5mm
额定功率：0.2W -1 W
工作电压：2.8-7.0V
峰值波长：250-330nm
工作电流：100-700mA
辐射功率：2-500（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：石英
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil，30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
3528 UV紫光系列
灯珠类型：SMD 贴片紫色光
灯珠类型：10mm圆形紫色
灯珠尺寸：10mm x13mm
额定功率：0.08W
工作电压：2.8-4.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：30mA
发射强度：60-300（mcd）
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：8mm圆形紫色
灯珠尺寸：8mm x11mm
额定功率：0.08W
工作电压：2.8-4.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：30mA
发射强度：60-300（mcd）
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：5mm圆形紫色有帽沿
灯珠尺寸：5mm x8.7mm
额定功率：0.08W
工作电压：2.8-4.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：20mA
发射强度：20-280（mcd）
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：3mm圆形紫色有帽沿
灯珠尺寸：3mm x5.08mm
额定功率：0.06W
工作电压：2.8-4.0V
峰值波长：360-410nm
工作电流：20mA
发射强度：20-280（mcd）
镜片外观：无色透明
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：Si、GaAs
芯片品牌：Samsung, Epistar, San'an, HC Semitek,
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：25°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
