灯珠类型：10mm圆形红外IR有帽沿
灯珠尺寸：10mm x13mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：1-50（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：8mm圆形红外IR有帽沿
灯珠尺寸：8mm x11mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：1-50（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：5mm圆形红外IR有帽沿
灯珠尺寸：5mm x8.7mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：1-28（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
灯珠类型：3mm圆形红外IR有帽沿
灯珠尺寸：3mm x5.08mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：10-28（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装支架：铁镀银
支架长度：18/16mm & 28/26mm
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：30°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单色直射型
灯珠尺寸：5×8mm
额定功率：1-3W
工作电压：3V
额定功率：1-3W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：350-700mA
辐射功率：130-600（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：铜或铁
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil,等;
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：3.0mm×2.0mm×1.3mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：3.20mm×1.6mm×1.1mm(1206）
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：2.0mm×1.25mm×1.1mm(0805）
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：1.60mm×0.80mm×0.60mm(0603）
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：双波段(CCT）双色及多色
灯珠尺寸：3.5×3.5mm
额定功率：1-8W
工作电压：3V 6V 12V
发光颜色：白光+红外（可选红色 黄色 绿色 蓝色 橙色）
白光色温：3000K-9000K
工作电流：100-700mA
发光效率：100-185 lm/w
显指CRI ：70 ↑, 80, 90 CRI
镜片外观：无色透明
封装基板：铜
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：LGaP、GaAs、GaAsP、GaAlAs
芯片品牌：美国普瑞、CREE、欧司朗、晶元、三安、光宏、鼎元。
芯片规格：尺寸为30*30mil,35*35mil,38*38mil等;
发散角度：30°，60°，90°，120°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
