灯珠类型： 表贴 SMD 封装（2835 尺寸）
发光波段： 1000–2060 nm（ 1000–2000 nm（典型峰值可选：1050 / 1200 / 1300 / 1400 / 1500 / 1650 / 1750 / 1950 / 2060 nm）
额定功率： 0.2–0.5W
工作电压： 1.8–2.2V（典型）
工作电流： 60–150mA
辐射强度： 依据波段与 Rank 等级提供（可提供 1050–2060nm 全系列 Rank 表）
发散角度： 120°
封装基板： 铜基板（高导热）
镜片外观： 无色透明
芯片材质： GaAs、GaAlAs、InGaAs（依据波段配置）
芯片品牌：晶元、三安、光宏等
芯片规格： 10×30mil、14×28mil等
认证标准： ROHS、REACH、EN62471
工作温度： -40°C ～ +85°C
典型应用： 工业加热、农产品干燥、食品脱水、电气柜防潮、温热体验设备、实验仪器光源
灯珠类型： 表贴 SMD 封装（3535 尺寸）
发光波段： 1000–2000 nm（典型峰值可选：1050 / 1200 / 1300 / 1400 / 1500 / 1650 / 1750 / 1950 / 2060 nm）
额定功率： 1W–3W（依据型号配置）
工作电压： 1.4–2.4V（典型）
工作电流： 350–700mA（依据 Rank 测试条件）
辐射强度： 依据波段与 Rank 等级提供（覆盖 40–360 mW/sr）
发散角度： 120°
封装基板： 高导热陶瓷基板（适合高功率散热）
镜片外观： 无色透明 / 远红外透光胶体
芯片材质： GaAs、GaAlAs、InGaAs（依据波段配置）
芯片品牌： 晶元、三安、光宏等
芯片规格： 38×38mil、45×45mil 等
认证标准： ROHS、REACH、EN62471
工作温度： -40°C ～ +85°C
典型应用： 工业加热、食品与农产品干燥、塑料预热、箱体防潮、温热体验设备、实验仪器光源、材料吸收测试设备
灯珠类型： 表贴 SMD 封装（5050尺寸）
发光波段： 1000–2000 nm（典型峰值可选：1050 / 1200 / 1300 / 1400 / 1500 / 1650 / 1750 / 1950 / 2060 nm）
额定功率： 3W-12（依据型号配置）
工作电压： 1.4–2.4V（典型）
工作电流： 700-1500mA（依据 Rank 测试条件）
辐射强度： 依据波段与 Rank 等级提供（覆盖 40–360 mW/sr）
发散角度： 120°
封装基板： 高导热陶瓷基板（适合高功率散热）
镜片外观： 无色透明 / 远红外透光胶体
芯片材质： GaAs、GaAlAs、InGaAs（依据波段配置）
芯片品牌： 晶元、三安、光宏等
芯片规格： 38×38mil、45×45mil 等
认证标准： ROHS、REACH、EN62471
工作温度： -40°C ～ +85°C
典型应用： 工业加热、食品与农产品干燥、塑料预热、箱体防潮、温热体验设备、实验仪器光源、材料吸收测试设备
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：双波段(CCT）双色及多色
灯珠尺寸：3.5×3.5mm
额定功率：1-8W
工作电压：3V 6V 12V
发光颜色：白光 + 红外（730nm / 850nm / 940nm）
白光色温：3000K-6500K
工作电流：300-1100mA
发光效率：100-185 lm/w
显指CRI ：70 ↑, 80, 90 CRI
镜片外观：无色透明
封装基板：陶瓷氮化铝
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：LGaP、GaAs、GaAsP、GaAlAs
芯片品牌：美国普瑞、CREE、欧司朗、晶元、三安、光宏、鼎元。
芯片规格：尺寸为30*30mil,35*35mil,38*38mil等;
发散角度：30°，60°，90°，120°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单色直射型
灯珠尺寸：3.5mm x 3.5mm
额定功率：1-5W
工作电压：1.2-3.0V
峰值波长：750-940nm
工作电流：350-1000mA
辐射功率：130-1070（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：陶瓷
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil,等;
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单色直射型
灯珠尺寸：5.0mm x 5.0mm
额定功率：3-15W
工作电压：1.2-3.0V
峰值波长：750-940nm
工作电流：350-1500mA
辐射功率：130-1670（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：陶瓷
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil,等;
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单色直射型
灯珠尺寸：5×8mm
额定功率：1-3W
工作电压：3V
额定功率：1-3W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：350-700mA
辐射功率：130-600（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：铜或铁
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为30*30mil ,38*38mil，40*40mil，45*45mil,等;
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：3.0mm×2.0mm×1.3mm
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：1.60mm×0.80mm×0.60mm(0603）
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
贴片方式：表贴SMD封装
发光方式：单芯不可见光
灯珠尺寸：2.0mm×1.25mm×1.1mm(0805）
额定功率：0.06W
工作电压：1.0-1.8V
峰值波长：750-940nm
工作电流：20mA
辐射功率：0.3-2（mW/sr）
镜片外观：无色透明
封装基板：金板&银板
封装导线：高纯度99.99%金丝，金（Au）或铜（Cu）
芯片材质：AlGaAs / Si 、GaAs
芯片品牌：光磊(ED)，鼎元(Tyntek) 日本Dowa、晶元光电(Epistar)
芯片规格：尺寸为8*8mi 9*9mil 10*10mil 12*12mil等;
发散角度：130°。
认证标准： ROHS、EN60471、RAECH。
工作温度：-40°C 至 +85°C
